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技术合作资料
技术项目 新世代矽晶单晶生长设备之建造与生产
技术内容 该技术利用Tchokhralsky方法生长矽晶单晶之工业设施之建造并开始生产。
生产高均质性之矽晶单柱(直径150-300mm, 长至3,000mm)。除该生产设施之出售外,其使用维修之培训服务亦在计画中。设施之主要特性:
˙盛器之直径:406-610mm
˙能量预设:1200kw
˙整体尺寸:9,500 x 3,000 x 2,400mm
˙全自动晶粒生长程序控制
此设施较同类设备产量高1.5倍,能量节约30%。
建 议 值得我国业者引进技术
联 络 人 业务组陈组长枝昌 李专员在和
联络电话 02-23494666 转 686 或 679

 

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电话: 886-2-23494666 ‧ 传真: 886-2-23813711 ‧ 电子信箱: tami@tami.org.tw ‧ 会址 : 100 台北市怀宁街 110 号
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